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霍尼韦尔压力传感器
发布时间:  2014/12/18 9:38:53

在网14—4中,N型硅和P型锗两种半导体在受拉伸时,阻值变化互异,可构成取臂半娇,即可产生温度自补效应又可降低非线性影响。

    半导体应变片采用锗、硅半导体材料。利用光刻、腐蚀或压膜工艺,压力变送器在基底P制成应变敏堪栅,然后用覆盖层加以保护,如罔14—4所爪。

    半导体应变片的优点足应变系数较大.分辨率高。但由于半导体材料性质决定了它与应变之间的非线性,所以温漂大、一致性也差。在使用时应增加温度朴偿、零点漂移抑制以厦其他非线性补偿措施。

    金属箔式应变片采用光刻、腐蚀T艺,在粘贴于绝缘基底的薄盒属fi-上制成箔式电阻嗍栅。由于与基底的接触面机较』=。所以在受拉伸时不易脱胶。散热条件好,可通过较大电流。蠕变较小、一致性好易J‘大批量牛产。I:1前广泛用f应变式传感器制造r。

一般金属应变片分为金属丝式、箔式、薄膜式三种。如图14—3所示。压力变送器金属丝式应变片有纸基、腔基两种,由F该粪应变片受拉伸时蠕变较大容易断裂、脱胶,使绝缘萑底和盖层分离,所以有被其他两种庖变片取代的趋势。但幽制作简单、价格便宜,日前仍广泛用于低测量精度应力、应变测量场合。

    薄膜式应变片采用真空蒸镀技术,在绝缘基属上蒸镀层薄金属材料制成薄膜电阻,然后用覆盖层加以保护。它与基地的接触面积最大,性能优J‘其他应变电阻。

    2半导体压变片



 
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